高速重イオンによるGe:SiO<sub>2</sub>層でのGeナノ結晶の強化形成

ANTONOVA I V; SKURATOV V A; VOLODIN V A; VOLODIN V A; SMAGULOVA S A; MARIN D M; MARIN D M; VAN VUUREN A Janse; NEETHLING J; JEDRZEJEWSKI J; BALBERG I

文献

J-GLOBAL ID：201202229517035550 整理番号：12A1186904

高速重イオンによるGe:SiO₂層でのGeナノ結晶の強化形成

Enhanced formation of Ge nanocrystals in Ge:SiO₂ layers by swift heavy ions

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資料名：
巻： 45 号： 28 ページ： 285302,1-6 発行年： 2012年07月18日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この研究では,筆者らは可変Ge濃度を有するGe:SiO₂膜での新しいGeナノ結晶を修飾,そして/あるいは生成するために高速Xeイオンの能力を示した。特に,2-5nmのサイズを有する高濃度のナノ結晶(NC)が照射され,引き続き焼きなまし(500°Cで)された膜の層で示された。照射することなしに,非晶質Ge内包物のみが同じ条件下で焼なましされた層で観測された。600°Cで焼なましされた非照射そして照射サンプルに対して,筆者らは照射されたサンプルに対して5-8nmのNCサイズを有するGe NCのより高い濃度を見出した。これは,NCサイズが8-15nmであると見出された非照射サンプルと比較される。それゆえ,高速重イオン照射は小さなサイズのGeナノ結晶のより高い濃度の形成のために有望であるように思われる。高エネルギーイオンで修飾されるナノ結晶膜の性質を制御する基本的メカニズムの理解はナノスケール材料の性質の変更に対する鍵を与えるであろう。

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半導体の結晶成長 , イオンとの相互作用

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高速重イオンによるGe:SiO2層でのGeナノ結晶の強化形成

高速重イオンによるGe:SiO₂層でのGeナノ結晶の強化形成