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J-GLOBAL ID：201202229595560300   整理番号：12A1217041

20nm技術ノードとその先の最新のリソグラフィーに対するフォトレジスト細線の課題

Photoresist Strip Challenges for Advanced Lithography at 20nm Technology Node and Beyond

著者 (7件)： BERRY Ivan L, III (Axcelis Technol., Massachusetts) ,  WALDFRIED Carlo (Axcelis Technol., Massachusetts) ,  ROH Dwight (Axcelis Technol., Massachusetts) ,  LUO Shijian (Axcelis Technol., Massachusetts) ,  MATTSON David (Axcelis Technol., Massachusetts) ,  DELUCA James (Axcelis Technol., Massachusetts) ,  ESCORCIA Orlando (Axcelis Technol., Massachusetts)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8328  ページ： 83280J.1-83280J.11  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトレジスト細線は元来低技術工程であったが,最近,増々複雑化している。植込みマスクとして用いる場合,最新の高分解能化学増幅レジストには問題が多く,誘導連鎖切断と光酸発生はレジスト細線処理中の熱不安定性を発生し得,多レベルレジスト構造では除去と再動作が困難であり,高アスペクト比(HAR)三次元構造は準無限選択性を必要とする。本稿は,イオン注入とレジストの相互作用,多層レジスト積層の再動作,及びHAR構造上のレジスト細線を述べた。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  フォトレジスト ,  *細線 ,  ナノメータ加工 ,  節点 ,  *化学増幅レジスト ,  イオン注入 ,  相互作用 ,  多層構造 ,  積層構造 ,  アスペクト比 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： 技術課題 ,  高アスペクト比 ,  三次元構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ノード ,  先 ,  リソグラフィー ,  フォトレジスト ,  細線