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J-GLOBAL ID：201202229802823570   整理番号：12A1098752

薄膜アモルファスシリコンMEMS共振器の信頼性と安定性

Reliability and stability of thin-film amorphous silicon MEMS resonators

著者 (4件)： SOUSA P M (INESC Microsistemas e Nanotecnologias(INESC MN) and IN-Inst. Nanoscience and Nanotechnology, Lisbon, PRT) ,  CHU V (INESC Microsistemas e Nanotecnologias(INESC MN) and IN-Inst. Nanoscience and Nanotechnology, Lisbon, PRT) ,  CONDE J P (INESC Microsistemas e Nanotecnologias(INESC MN) and IN-Inst. Nanoscience and Nanotechnology, Lisbon, PRT) ,  CONDE J P (Universidade Tecnica de Lisboa, Lisbon, PRT)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 22  号： 6  ページ： 065030,1-8  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMSデバイス中の可動部品は長期の繰り返し負荷サイクルにより故障を起こす。本研究では,ドープト水素化アモルファスシリコン(n⁺-a-Si:H)薄膜に基づく,最大プロセス温度110°Cでガラス基板上に製作したMEMSマイクロブリッジ共振器の信頼性と長期安定性について調べた。静電気アクチュエーションを使って真空中と空気中で長期サイクル試験を行った。この共振ブリッジは高負荷の真空中と空気中で,工業規格の10¹¹連続サイクル試験で故障発生は無かった。品質係数(Q)劣化は無かった。また,真空中長期サイクル試験後の周波数安定性は±20ppm以上であった。

シソーラス用語： 共振器 ,  MEMS ,  *アモルファスシリコン ,  安定性 ,  ブリッジ回路 ,  静電気応用 ,  繰返し試験 ,  係数 ,  周波数安定度 ,  水素化物
準シソーラス用語： *MEMS共振器 ,  サイクル試験 ,  マイクロブリッジ ,  周波数安定性 ,  水素化アモルファスシリコン ,  *長期安定性 ,  品質係数

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  アモルファスシリコン ,  MEMS共振器 ,  安定性