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J-GLOBAL ID:201202230085793694   整理番号:12A0957213

色素増感太陽電池のAlドーピングZnOナノロッド配列の電気化学的と構造的分析

Electrochemical and structural analysis of Al-doped ZnO nanorod arrays in dye-sensitized solar cells
著者 (4件):
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巻: 214  ページ: 159-165  発行年: 2012年09月15日 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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0~5%のAl含量を有するAlドーピングZnOナノロッド配列を調製し,色素増感太陽電池(DSSCs)に対する光アノードとして評価した。Alドーピングが電気的性質を変化させるのみならずZnOナノロッドのモルホロジーと構造を変化させた。暗電流の低下の結果となるZnOナノロッド配列電極/電解質界面における電子再結合抵抗の増加のためにAlの添加とともに開回路電圧は0.036Vから0.732まで顕著に増加した。ZnOナノロッドの径はAlの添加とともに変化する。ナノロッドの適切な増加は電子移動抵抗の減少のために便利であることを結果は示す。それはさらに短絡電流の増加につながるZnOナノロッド配列における電子移動をスピードアップする。分析した試料の中で,0.5%のAlドーピングZnOナノロッド配列を含むDSSCは開回路電圧と短絡電流の増加のために最高の効率を示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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