酸化ゲルマニウム固体電解質を用いたメモリーデバイスの記録抵抗比そして二極/単極抵抗スイッチング特性

RAHAMAN Sheikh Ziaur; MAIKAP Siddheswar; RAY Samit Kumar; RAY Samit Kumar; LEE Heng-Yuan; CHEN Wei-Su; CHEN Frederick T.; KAO Ming-Jer; TSAI Ming-Jinn

文献

J-GLOBAL ID：201202230245975263 整理番号：12A0706085

酸化ゲルマニウム固体電解質を用いたメモリーデバイスの記録抵抗比そして二極/単極抵抗スイッチング特性

Record Resistance Ratio and Bipolar/Unipolar Resistive Switching Characteristics of Memory Device Using Germanium Oxide Solid Electrolyte

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資料名：
巻： 51 号： 4,Issue 2 ページ： 04DD11.1-04DD11.6 発行年： 2012年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

低電圧動作(<1.5V)下で新しいCu/GeOx/W構造におけるCuフィラメントを用いたメモリー素子の二極および単極抵抗スイッチング特性を調べた。高分解能透過型電子顕微鏡法(HRTEM)およびエネルギー分散X線分光法解析の両方によりほぼ12nmの厚さをもつ酸化ゲルマニウム(GeOx)固体電解質を観察した。HRTEMにより150×150nm2の小さなデバイス寸法を観察した。X線光電子分光法解析によりGe:Oの組成を調べた。メモリーデバイスは,約0.5Vの大きなSET電圧をもつ1nA~50μAの電流コンプライアンス下で二極スイッチングを,100μAより大きいより大きな電流コンプライアンスをもつ単極スイッチングを示した。このメモリーは,SET/RESET電圧の優れた一様性,高抵抗状態/低抵抗状態(LRS/HRS),1×105サイクルより大きい長い読み出し耐久性,二極モードで105より大きい,そして単極モードで109より大きい高い抵抗比をもつ1×104sより大きい良好なデータ保持をもっている。(翻訳著者抄録)

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電子・磁気・光学記録

引用文献 (32件)：

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