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J-GLOBAL ID：201202230388254672   整理番号：12A0562932

CF₄/Ar適応結合プラズマ中のIZO薄膜のドライエッチ

Dry etch properties of IZO thin films in a CF₄/Ar adaptively coupled plasma system

著者 (2件)： WOO Jong-chang (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR) ,  KIM Chang-il (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 9  ページ： 1336-1340  発行年： 2012年03月14日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,CF₄/Arプラズマ中の酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜のエッチ特性,すなわち,エッチ速度とSiO₂への選択性を調べた。最大エッチ速度76.6nm/分は,IZO薄膜に対して,CF₄/Arのガス混合比(25:75%)で得られた。加えて,エッチ速度を,適応的に結合されたプラズマチェンバー圧力を含むエッチングパラメーターの関数として測定した。X線光電子分光分析は,イオン衝突による酸素結合の効率良い破壊とエッチされたIZO薄膜表面上への低揮発性の反応生成物の集積を示した。電界放出Auger電子分光分析は,反応生成物のイオン誘起脱離の効率を調べるために用いた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  アルゴン ,  *プラズマエッチング ,  加工速度 ,  反応生成物 ,  X線光電子スペクトル ,  フロン
準シソーラス用語： *酸化インジウム亜鉛

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： テトラフルオロメタン

タイトルに関連する用語 (5件)： Ar ,  適応 ,  プラズマ ,  薄膜 ,  エッチ