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J-GLOBAL ID：201202230860907111   整理番号：12A0783865

シリコン・オン・インシュレータ基板に形成されたNiSiの光学定数に対する分光偏光解析モデル

Spectroscopic ellipsometry model for optical constant of NiSi formed on silicon-on-insulator substrates

著者 (4件)： VELLEI A. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  FALLICA R. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  SANGALLI D. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  LAMPERTI A. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 093501-093501-6  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ化ニッケルはサブ45nm CMOSデバイスにおける最低の接触抵抗を得るための最良の候補と考えられている。一定の形成比をもって230nmの薄いシリコン・オン・インシュレータ基板のトップにNiの急速熱アニーリング(温度230°C~780°C)により20~60nmの厚さのNiSi膜を作製した。膜に独立なキャラクタリゼーションに基づいて,分光偏光解析データの解釈,二つのLorentz振動子と一つのDrude分散モデルの組み合わせを特徴付けるための新しいモデルを提案し,その良さを他の既知のモデルとの比較でチェックした。この新しい方法は膜厚と抵抗率のより正確な評価を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *光学定数 ,  金属薄膜 ,  製膜 ,  *偏光解析法 ,  基板 ,  RTA【熱処理】 ,  膜厚 ,  電気抵抗率 ,  SOI構造
準シソーラス用語： *ケイ化ニッケル ,  分光偏光解析

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  インシュレータ基板 ,  光学定数 ,  分光偏光解析 ,  モデル