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J-GLOBAL ID:201202230926864362   整理番号:12A0764271

アルカリとハロゲンの吸着の際のGaAs(001)のエッチングと安定化

Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption
著者 (16件):
資料名:
巻: 116  号: 15  ページ: 8535-8540  発行年: 2012年04月19日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ヨウ素とセシウムのAsリッチなGaAs(001)表面とGaリッチなGaAs(001)面との間の選択的相互作用の微視的機構について,光電子スペクトルとab initio計算によって研究した。AsのリッチなGaAs(001)表面への電気的に正のセシウムの吸着とGaのリッチなGaAs(001)表面への電気的に負のセシウムの吸着によって表面の安定性が低下し,その結果表面のエッチングが促進されることが実験とab initio計算からわかった。反対に,GaのリッチなGaAs(001)表面へのCsの吸着とAsのリッチなGaAs(001)表面へのIの吸着によって表面の安定性が上昇した。Asのリッチなβ2(2×4)表面上のCsの場合とGaのリッチなζ(4×2)表面上のIの場合に吸着によって誘起された電荷移動によって,それぞれ最表層のヒ素原子の骨格と最表層中の横方向の結合が弱体化される場合にエッチングが起こると推定した。これらの結果から,表面再構築の間の可逆的転移と単分子層精度の原子層エッチングの可能性が実証された。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
物理的手法を用いた吸着の研究  ,  分子の電子構造  ,  電子分光スペクトル 

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