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J-GLOBAL ID：201202230973747374   整理番号：12A1377682

超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術

Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) Technology for Ultralow-Power (ULP) Applications

著者 (22件)： 杉井信之 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  杉井信之 (ルネサスエレクトロニクス) ,  岩松俊明 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  岩松俊明 (ルネサスエレクトロニクス) ,  山本芳樹 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  山本芳樹 (ルネサスエレクトロニクス) ,  槇山秀樹 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  槇山秀樹 (ルネサスエレクトロニクス) ,  角村貴昭 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  角村貴昭 (ルネサスエレクトロニクス) ,  篠原博文 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  篠原博文 (ルネサスエレクトロニクス) ,  青野英樹 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  青野英樹 (ルネサスエレクトロニクス) ,  尾田秀一 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  尾田秀一 (ルネサスエレクトロニクス) ,  蒲原史朗 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  蒲原史朗 (ルネサスエレクトロニクス) ,  山口泰男 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  山口泰男 (ルネサスエレクトロニクス) ,  水谷朋子 (東大 生産技研) ,  平本俊郎 (東大 生産技研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 170(ICD2012 31-56)  ページ： 29-32  発行年： 2012年07月26日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい。消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば,ユビキタスセンサネットワークなどへの広汎な応用が期待できる。現代の微細CMOSにおける超低電圧動作に対する主要課題は,トランジスタ特性のばらつきを抑え,かつ適応制御によって可能な限り低電圧で要求に見合う回路性能を引き出すことである。この課題を解決するために,我々は薄膜BOX-SOI(SOTB)というCMOSトランジスタを開発している。本報告では,SOTBの特長,超低電圧動作に向けたデバイス・プロセス技術,応用分野を拡大するためのデバイス・回路連携に関して述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *消費電力 ,  省エネルギー ,  *LSI【IC】 ,  電力効率 ,  駆動 ,  電子技術 ,  センサネットワーク ,  適応制御 ,  MOSFET ,  *酸化膜 ,  *SOI構造 ,  分散【variance】
準シソーラス用語： *BOX ,  *CMOSFET ,  *CMOS技術 ,  ユビキタスセンサネットワーク ,  製造ばらつき ,  *超低電圧駆動 ,  *超低電力化 ,  低電圧駆動

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  LSI ,  薄膜 ,  BOX ,  SOI ,  CMOS技術