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J-GLOBAL ID：201202231070509929   整理番号：12A1602419

薄いZnO界面層を介したn型GeにおけるFermi準位の脱ピン止めと低い電気抵抗率

Fermi-level unpinning and low resistivity in contacts to n-type Ge with a thin ZnO interfacial layer

著者 (9件)： PARAMAHANS MANIK Prashanth (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  KESH MISHRA Ravi (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  PAVAN KISHORE V. (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  RAY Prasenjit (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  NAINANI Aneesh (Applied Materials Inc., Santa Clara, California 94085, USA) ,  HUANG Yi-chiau (Applied Materials Inc., Santa Clara, California 94085, USA) ,  ABRAHAM Mathew C. (Applied Materials Inc., Santa Clara, California 94085, USA) ,  GANGULY Udayan (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  LODHA Saurabh (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 18  ページ： 182105-182105-5  発行年： 2012年10月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,Ti被覆した薄いZnO界面層(IL)を用いたn型Geにおける低抵抗Ohm接触について報告する。350°Cにおけるポスト金属化アニーリング処理によって,ZnOを高濃度のn型(n⁺)として添加する酸素空格子点を生成した。整流性を有するTi/n-Ge接触は,n⁺-ZnOILの挿入によって,逆電流密度が1000倍のOhm接触になることが分かった。エピタキシャルn⁺-Ge(2.5×10¹⁹cm^-3)層の比抵抗は,約1.4×10^-7Ωcm²であった。ZnO-ILによる低抵抗は,1)Fermi準位の脱ピン止め効果による低い障壁高さ,2)ZnOとGeとの間の良好な伝導バンド配列,ならびに,3)n⁺ドーピングによる薄いトンネル障壁,に起因すると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *N型半導体 ,  *ゲルマニウム ,  Fermi準位 ,  *半導体接合 ,  境界層 ,  酸化亜鉛 ,  空格子点 ,  ピン止め ,  Ohm接触 ,  整流 ,  *電流電圧特性 ,  電気抵抗率 ,  電流密度 ,  高さ ,  伝導バンド ,  ポテンシャル障壁 ,  *トンネル効果 ,  焼なまし ,  エピタクシー ,  界面層 ,  酸素空格子点 ,  障壁高さ ,  脱ピン止め ,  層
準シソーラス用語： トンネル障壁

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  界面層 ,  Ge ,  Fermi準位 ,  脱ピン止め ,  電気抵抗率