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J-GLOBAL ID：201202231177659370   整理番号：12A0121719

ビスマスの大きな熱Hall係数

Large thermal Hall coefficient in bismuth

著者 (3件)： KOBAYASHI W. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Ibaraki 305-8571, JPN) ,  KOIZUMI Y. (Dep. of Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN) ,  MORITOMO Y. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Ibaraki 305-8571, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 1  ページ： 011903  発行年： 2012年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビスマス単結晶の熱Hall効果を,磁場下での抵抗率,Hall係数,および熱伝導率を測定して,系統的に研究した。HgSe半導体での最も大きな熱Hall係数に匹敵する大きな熱Hall係数を示した。これは,理論計算と比較して,大きな移動度と低い熱伝導率に主として起因していることを議論した。電子素子における熱流を制御するための方策を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ビスマス ,  電気抵抗率 ,  熱伝導率 ,  単結晶 ,  熱流 ,  *熱流磁気効果 ,  移動度 ,  係数 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *熱Hall係数 ,  *熱Hall効果

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (2件)： ビスマス ,  Hall係数