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J-GLOBAL ID：201202231375975202   整理番号：12A1288879

表面音響波による低-k/Siの界面接着特性の非破壊決定

Nondestructive determination of interfacial adhesion property of low-k/Si by the surface acoustic waves

著者 (3件)： XIAO X. ,  SUN Y. ,  SHAN X.-m.
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 207  ページ： 240-244  発行年： 2012年08月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面接着研究のために普及した非破壊表面音響波(SAW)を適用して,シリコン基板上に堆積したポーラスおよび緻密な低誘電率(低-k)膜両方の接着特性を研究した。理論的SAW分散曲線の計算に接着特性を考慮するために,膜と基板間の単位面積当たりの分布したせん断および垂直ばね定数(K_TおよびK_N)のパラメーターを導入することによりばね境界モデルを採用した。広帯域SAW信号を短いパルス紫外線レーザ源により生成し,熱電トランスデューサーにより検出した。低-k試料の界面接着特性が,実験的分散曲線を理論的にフィッティングすることにより得られる。150および200MHzまでの最大振動数を有するスムーズな実験分散曲線が,それぞれポーラスおよび緻密な低-k試料に対して達成された。決定結果は,緻密な低-k膜の接着特性が本研究で使用したポーラス低-k試料のそれよりも大幅に優れていることを示した。SAWにより決定された接着の結果はナノスクラッチ試験と同じ傾向を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,  *炭素 ,  ドーピング ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *化学蒸着 ,  誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  接着 ,  界面 ,  弾性表面波 ,  *非破壊検査 ,  ばね定数 ,  モデル ,  境界 ,  *集積回路 ,  酸化物薄膜 ,  *低k誘電体 ,  *界面接着性
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  *SAW【表面波】 ,  ばねモデル ,  *界面接着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面音響波 ,  Si ,  界面接着