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J-GLOBAL ID：201202231390119347   整理番号：12A0346873

化学蒸着を用いたCu箔上の単層六方晶系窒化ホウ素の合成

Synthesis of Monolayer Hexagonal Boron Nitride on Cu Foil Using Chemical Vapor Deposition

著者 (11件)： KIM Ki Kang (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  HSU Allen (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  JIA Xiaoting (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KIM Soo Min (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  SHI Yumeng (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  HOFMANN Mario (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  NEZICH Daniel (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  RODRIGUEZ-NIEVA Joaquin F. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  DRESSELHAUS Mildred (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KONG Jing (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 1  ページ： 161-166  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧化学蒸着(LPCVD)を用いて銅箔上に大面積の六方晶系窒化ホウ素(h-BN)単分子層を合成する方法を報告した。LPCVDによる成膜は表面反応を利用するので,基板や気体流の影響が少ない。前駆体は安定性に優れたボラザンを使用した。原子間力顕微鏡法,透過型電子顕微鏡および電子エネルギー損失分光法による特性評価を行い,このh-BN膜の成長は低圧下のCu上グラフェンと同様の表面仲介成長によることを確認した。このh-BN単分子層膜はグラフェン素子用の誘電体層や基板として有用である。

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  *単分子層 ,  *六方晶系 ,  基板 ,  金属箔 ,  銅 ,  *LPCVD ,  モルフォロジー ,  前駆体 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  ボラザン ,  キャラクタリゼーション ,  *薄膜成長

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学蒸着 ,  Cu箔 ,  単層 ,  六方晶系窒化ホウ素