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J-GLOBAL ID:201202231458674042   整理番号:12A0528744

準定常状態の光ルミネッセンスを介したシリコン中のマイクロ秒キャリアの寿命測定

Microsecond carrier lifetime measurements in silicon via quasi-steady-state photoluminescence
著者 (2件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 238-245  発行年: 2012年03月 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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準定常状態の光ルミネッセンス寿命の測定において未だ感度を制限している効果を特定した。ここで提案する(照射のフィルタリングや検出と増幅の間の信号遅延に関する)是正措置は,1マイクロ秒までの信頼性の高いキャリア寿命の測定を可能にする。トラッッピングとキャリア移動度の影響が無視でき,ウェハと太陽電池のフォトルミネッセンス画像の寿命のキャリブレーションができるこの手法は,シリコン太陽電池で今日使用できる最も強力な手法である。
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (4件):
分類
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半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  光伝導,光起電力  ,  半導体のルミネセンス  ,  太陽電池 

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