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J-GLOBAL ID：201202231549248143   整理番号：12A0405478

電源デバイス・アプリケーションに対する4H-SiCウェハのラッピングおよびポリッシング技術の開発

Development of Lapping and Polishing Technologies of 4H-SiC Wafers for Power Device Applications

著者 (10件)： YASHIRO Hirokatsu (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  FUJIMOTO Tatsuo (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  OHTANI Noboru (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  HOSHINO Taizo (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  KATSUNO Masakazu (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  AIGO Takashi (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  TSUGE Hiroshi (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  NAKABAYASHI Masashi (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  HIRANO Hosei (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  TATSUMI Kohei (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 600/603  号： Pt.2  ページ： 819-822  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： アプリケーション ,  4H-SiC ,  ウェハ ,  ラッピング ,  ポリッシング ,  開発