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J-GLOBAL ID：201202231600526390   整理番号：12A0593533

HT-AlNバッファ層上のa面GaNにおける異方性結晶の変調

Modulation of anisotropic crystalline in a-plane GaN on HT-AlN buffer layer

著者 (5件)： LONG H. (State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...) ,  YU T.j. (State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...) ,  FANG H. (State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...) ,  YANG Z.j. (State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...) ,  ZHANG G.y. (State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 15  ページ： 5579-5582  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)a面窒化ガリウムをRaman分光とX線回折によって研究した。LT-GaN核形成層上に成長したa面GaNの歪は[1-100]方位と[0002]方位の両方に沿って圧縮性である。しかしながら,HT-AlNバッファ層上にエピ成長されたGaNの歪は[0002]GaN方位に沿って引っ張り性で[1-100]GaN方位に沿って圧縮性であった。結晶異方性と品質もまたHT-AlN層によって改善された。原子間力顕微鏡を用いてHT-AlNバッファ層を解析した。この歪の発散性と結晶性の改善は有機金属気相エピタクシーの過程でのHT-AlNバッファの熱膨張と格子不整合の効果とされた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *半導体薄膜 ,  *窒化アルミニウム ,  *バッファ層 ,  *MOCVD ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  核形成 ,  残留歪 ,  異方性 ,  顕微鏡観察 ,  化合物半導体 ,  *エピタクシー ,  格子不整合 ,  熱膨張
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  サファイア基板 ,  引張歪

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： HT ,  AlN ,  バッファ層 ,  GaN ,  異方性 ,  結晶 ,  変調