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J-GLOBAL ID：201202231717363271   整理番号：12A0480366

InAlN/GaN格子整合エピタキシーの組成不安定性

Compositional instability in InAlN/GaN lattice-matched epitaxy

著者 (7件)： WEI Q. Y. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  LI T. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  HUANG Y. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  HUANG J. Y. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  CHEN Z. T. (Res. Center for Nano-Device and System, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho, Showa-Ku, Nagoya 466-8555, JPN) ,  EGAWA T. (Res. Center for Nano-Device and System, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho, Showa-Ku, Nagoya 466-8555, JPN) ,  PONCE F. A. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 9  ページ： 092101  発行年： 2012年02月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xAl_1-xN/GaN系が有機金属化学気相成長によって成長したエピタキシャル層の格子整合組成(x=0.18)で組成不安定性を示すことを発見する。組成一様性の破壊は,GaN下層から伝搬するらせん成分を持った貫通転位によって引き起こされる。それはIn_xAl_1-xNのある膜厚で,V溝に広がる傾向がある。V溝は~200nmで合体し,In含有量の著しい低下と幅広いルミネッセンスピークを示す材料によって埋まる。透過型電子顕微鏡法は,構造破壊がV溝のファセットにおける不均一核形成と成長に起因することを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  エピタクシー ,  *格子整合 ,  アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  層 ,  *化学組成 ,  *不安定性 ,  螺旋転位 ,  貫通転位 ,  溝 ,  核形成 ,  結晶成長 ,  インジウム ,  含有量 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： V溝 ,  *窒化アルミニウムインジウム ,  不均一核形成

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAlN ,  GaN ,  格子整合 ,  エピタキシー ,  組成 ,  不安定性