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J-GLOBAL ID:201202231732286887   整理番号:12A0604197

レーザ熱リソグラフィーによるAgInSbTe相変化膜の選択エッチング特性

Selective etching characteristics of the AgInSbTe phase-change film in laser thermal lithography
著者 (6件):
資料名:
巻: 107  号:ページ: 221-225  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,レーザ熱リソグラフィーによるAgInSbTe相変化膜のエッチング選択性について,初めて報告した。レーザ照射により誘導される膜の相変化と,塩酸,硫酸,リン酸,水酸化ナトリウム,硫化ナトリウム,硫化アンモニウムおよび水酸化アンモニウムなどのいろいろなエッチング剤による結晶状態とアモルファス状態へのエッチング選択性について調べた。結果から硫化アンモニウム溶媒(2.5mol/L)は,AgInSbTeの結晶およびアモルファス状態に対して良好なエッチング選択性を示し,エッチング特性はレーザパワー密度およびレーザ照射時間に大きく影響を受けた。最適照射条件下(パワー密度:6.63mW/μm2,照射時間:330s)で,エッチング剤として硫化アンモニウム溶媒(2.5mol/L)を用いた場合に,AgInSbTe膜の結晶状態のエッチング速度は40.4nm/minで,これはアモルファス状態よりも20倍高かった。選択エッチングにより生成するステップのプロファイルは明瞭で,ステップアップおよびステップダウンの両者ともに,粗さが4nm(10×10μm)以下の平滑面が残存していた。AgInSbTe相変化膜の選択エッチングにおける良好な性能は,レーザ熱リソグラフィーによる超高分解能を持つナノ構造の作製に重要である。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  ガラスの製造  ,  固相転移 
タイトルに関連する用語 (4件):
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