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J-GLOBAL ID：201202231886318188   整理番号：12A0549340

二重シリコンナノワイヤベースの低いプルイン電圧のU字型ナノ電気機械スイッチ

A dual-silicon-nanowires based U-shape nanoelectromechanical switch with low pull-in voltage

著者 (4件)： QIAN You (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576) ,  LOU Liang (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576) ,  JULIUS TSAI Minglin (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...) ,  LEE Chengkuo (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 113102-113102-3  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重シリコンナノワイヤベースの低いプルイン電圧のU字型ナノ電気機械スイッチは,シリコン・オン・インシュレイターウェハ上に標準的補足的な金属酸化物半導体互換性プロセスを用いて製造される。そのスイッチは,145nmのギャップで基板トップに保持された2本のシリコンナノワイヤによって支持された2μm×4μm寸法の容量的パドルから成る。ナノワイヤは,90nm×90nmの断面で長さは5μmである。平均プルイン電圧は,約1.12Vであり,オン/オフ電流の比は,10,000超と測定される。予備的結果によれば,このU字形構造は,プルイン電圧低下の大きい可能性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *スイッチ ,  電流電圧特性 ,  電圧 ,  電気機械効果 ,  *MEMS
準シソーラス用語： シリコンナノワイヤ ,  プルイン電圧 ,  NEMSデバイス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンナノワイヤ ,  プルイン電圧 ,  U字型 ,  電気機械