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J-GLOBAL ID:201202231935291924   整理番号:12A0682228

Mott転移近傍での低キャリア密度を有するInNの超伝導特性

Superconducting Properties of InN with Low Carrier Density near the Mott Transition
著者 (9件):
資料名:
巻: 81  号:ページ: 044704.1-044704.9  発行年: 2012年04月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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筆者らはMott転移近傍での低キャリア密度を有するInNの2つのタイプの超伝導を報告する。一つのタイプは電気伝導とMeissner効果が同時に生じる超伝導転移をもつ。そして,それは上部臨界場を分かりにくくする。温度に対する渦溶融場の上方湾曲が高いTc超伝導体で観測されたそれに類似している。他の一つは金属Inのそれに類似の超伝導ギャップを有するBCSタイプ超伝導である。超伝導相は大きな浸透長さによって引き起こされた渦の熱ゆらぎによるガラス状渦固体および融液である。Fermi面の構造は低温で磁気プラズマ反射と磁気抵抗を測定して研究される。結果は,伝導バンド中で2つのタイプがあることを示す。2つのタイプの超伝導を説明するために,強いs-d結合によって引き起こされた残留キャリアのモデルが提示される。(翻訳著者抄録)
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