研究者
J-GLOBAL ID：200901094304400580   更新日: 2024年09月19日

福井 一俊

Fukui Kazutoshi
研究分野 (1件)： 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件)： VUV,IR,Synchrotron Light Source ,  真空紫外,赤外,放射光 ,  Nitride Semiconductor,Electronic States,Electronic Structures ,  Optical Constants,UV,VUV ,  窒化物半導体,電子状態,電子構造 ,  光学定数,紫外,真空紫外
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2012 - 異方性を持つIII-V窒化物半導体の複素誘電率を絶対測定する真空紫外エリプソの改良
  • 2009 - 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究
  • 2008 - 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究
  • 2007 - InA1N系多接合タンデム太陽電池の研究
論文 (24件)：
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MISC (114件)：
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講演・口頭発表等 (206件)：
  • 可視-真空紫外エリプソメータによるシンクロトロン放射光ビームラインのストークス・パラメータ測定
    (第64回応用物理学会春季学術講演会 2017)
  • 磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析
    (第64回応用物理学会春季学術講演会 2017)
  • レーザ照射処理をしたアモルファス窒化炭素の発光スペクトルの温度依存性
    (第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016)
  • RFスパッタリング法によって作製したBCN薄膜の発光特性
    (第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
  • MgO上に堆積させたアモルファス窒化炭素膜の発光特性
    (第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
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Works (3件)：
  • 異方性を持つIII-V窒化物半導体の複素誘電率を絶対測定する真空紫外エリプソの改良, 基盤研究(C)(一般)
    2013 -
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究, 基盤研究(B)(一般)
    2009 -
  • InA1N系多接合タンデム太陽電池の研究, 特定領域研究(新規領域)
    2008 -
学歴 (1件)：
  • - 1980 福井大学 応用物理学
学位 (2件)：
  • 博士(理学) (広島大学)
  • 工学修士 (福井大学)
経歴 (7件)：
  • 2007/08 - 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻 教授
  • 2001/04 - 2007/07 福井大学遠赤外領域開発研究センター 助教授
  • 1999/04 - 2001/03 分子科学研究所 助教授
  • 1992/06 - 1999/03 福井大学工学部 助教授
  • 1990/04 - 1992/06 福井大学工学部 助手
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委員歴 (7件)：
  • 2003 - 2005 日本物理学会 Journal編集委員会委員
  • 2002 - 2003 日本物理学会 編集委員
  • 2000 - 日本放射光学会 第13回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム実行委員会委員
  • 1996 - 1999 日本放射光学会 行事委員会委員
  • 1988 - 日本放射光学会 一般会員
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受賞 (1件)：
  • 2010/11 - 応用物理学会北陸・信越支部 応用物理学会北陸・信越支部発表奨励賞
所属学会 (3件)：
日本物理学会 ,  応用物理学会 ,  日本放射光学会
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