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J-GLOBAL ID：201202231950725140   整理番号：12A0121685

シリコン上のHfO₂の原子層蒸着のin situ研究

In situ study of the atomic layer deposition of HfO₂ on Si

著者 (4件)： KOLANEK Krzysztof (Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU) ,  TALLARIDA Massimo (Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU) ,  MICHLING Marcel (Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU) ,  SCHMEISSER Dieter (Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 1  ページ： 01A143  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラキス-ジ-メチル-アミノ-HfとH₂Oをプリカーサとして用いることにより,Si(001)/SiO₂基板上にHfO₂を原子層蒸着(ALD)成長させる場合の初期段階をin situに調べた。HfO₂超薄膜の表面モルフォロジーと化学的および電気的性質を,各ALDサイクルの後で表面感応法により調べた。高さ-高さ相関関数(HHCF),平均二乗根表面粗さ,表面のフラクタル次元をALDサイクル数の関数として解析することによって原子間力顕微鏡像の分析を行った。表面幅,相関長,ローカルスロープ,粗さ指数のようなHHCFと直接関連するパラメータを計算し,スケーリング指数の決定に用いた。8次のALDサイクルまでの全パラメータが複雑な振る舞いを示した。高分解能シンクロトロン放射光電子分光を用いて,Si/SiO₂/HfO₂界面の化学的性質を評価した。HfO₂二重層が完全に形成されるまで,各ALDサイクル後のSi 2p,O 1s,Hf 4f殻準位線に変化が見られた。成長したHfO₂層の厚さを計算し,サイクル当たり約0.1nm/cycleの成長速度の推定値を得た。紫外線光電子分光によって,各ALDサイクル後の価電子バンド最大値と二次電子カットオフの変化を観測し,界面双極子の存在を指摘した。最後に,SiO₂からHfO₂へのバンドギャップ変化のために,ALDの際の電子エネルギー損失分光の損失関数オンセットが変化した。全ての実験結果を結びつけることにより,初期段階のALDの新しい完全に包括的な成長モデルを開発した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *化学蒸着 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  超薄膜 ,  表面構造 ,  表面粗さ ,  フラクタル次元 ,  原子間力顕微鏡 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  光電子分光法
準シソーラス用語： *原子層蒸着 ,  シリコン ,  酸化物薄膜 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  HfO2 ,  原子層蒸着 ,  研究