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J-GLOBAL ID：201202232442908228   整理番号：12A1009954

希土類元素をドープしたa-Si:HとZnOおよびGaN膜の中心内4F遷移からの発光強度

Intensity of emission from intracenter 4f-transitions in a-Si:H, ZnO, and GaN films doped with rare-earth ions

著者 (4件)： MEZDROGINA M. M. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  EREMENKO M. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  TERUKOV E. I. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  KOZHANOVA Yu. V. (St. Petersburg State Polytechnic Univ., 195251, St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 7  ページ： 901-912  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類元素をドープしたアモルファスシリコン(a-Si:H)と結晶性GaNおよびZnO膜からの発光強度を支配するのはドーピング不純物イオンの局所環境であることを示した。a-Si:Hの場合には点群C_4Vの疑似八面体がナノ結晶のために存在するが,それが希土類元素のための局所環境を提供する。結晶性GaNおよびZnOの六方晶系格子の場合には,拡散で半導体中に導入した希土類元素の点群C_4Vの疑似八面体局所環境は母材結晶格子を越える希土類イオン-酸素イオン錯体の径に起因した応力が原因で生成する。GaN膜とは対照的に,ツリウム,サマリウム及びイッテルビウムでドープしたZnO膜は希土類元素の4f中心内での遷移に特徴的な長波長スペクトル域での強い発光と短波長スペクトル域(λ=368~370nm)でのかなりの強度増加の両方を現した。希土類ドープGaN膜は,ドナー-アクセプタ再結合に特徴的な発光バンドの存在が原因となった不均一にスペクトル線幅が広がった発光スペクトルを示した。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *希土類元素 ,  *ドーピング ,  *アモルファスシリコン ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *放射強度 ,  点群 ,  八面体 ,  六方晶系 ,  錯体 ,  ツリウム ,  サマリウム ,  イッテルビウム ,  電子遷移 ,  *不純物中心 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  再結合 ,  *発光スペクトル

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 希土類元素 ,  ドープ ,  Si ,  ZnO ,  GaN ,  遷移 ,  発光強度