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J-GLOBAL ID：201202232455538772   整理番号：12A0764876

GaNにおけるSi₊プラス注入,及び,活性化:サファイヤ上のGaN,及びシリコン上のGaNの比較

Si⁺ Implantation and Activation in GaN Comparison of GaN on Sapphire and GaN on Silicon

著者 (7件)： BAZIN Anne-Elisabeth (STMicroelectronics, Tours, FRA) ,  CAYREL Frederic (Univ. Tours, Tours, FRA) ,  LAMHAMDI Mohamed (Univ. Tours, Tours, FRA) ,  YVON Arnaud (STMicroelectronics, Tours, FRA) ,  HOUDBERT Jean-Christophe (STMicroelectronics, Tours, FRA) ,  COLLARD Emmanuel (STMicroelectronics, Tours, FRA) ,  ALQUIER Daniel (Univ. Tours, Tours, FRA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 711  ページ： 213-217  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  注入 ,  活性化 ,  サファイヤ ,  シリコン