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J-GLOBAL ID：201202232685470069   整理番号：12A0965163

マグネトロンスパッタリングによって堆積させたa-IGZO/ITOハイブリッド層のキャラクタリゼーション

Characteristics of a-IGZO/ITO Hybrid Layer Deposited by Magnetron Sputtering

著者 (4件)： BANG Joon-Ho (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  PARK Hee-Woo (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  CHO Sang-Hyun (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  SONG Pung-Keun (Pusan National Univ., Busan, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 4  ページ： 3425-3429  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質半導体酸化インジウムガリウム亜鉛(a-IGZO)と酸化インジウムスズ(ITO)膜はそれぞれ,In₂O₃:Ga₂O₃:ZnO=1:1:1およびIn₂O₃:SnO₂=9:1の単一セラミックの種々の酸素分圧におけるスパッタ蒸着によって得た。動的曲げによる抵抗の変化についてのデータを示す。その結果から,これらのIGZO/ITO二重層は可撓性の電子デバイスに対して適当な材料であることが分かった。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  酸化物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  *酸化インジウムスズ ,  マグネトロンスパッタリング ,  多層 ,  非晶質半導体 ,  *半導体薄膜 ,  曲げ ,  電気抵抗 ,  柔軟性
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  二層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  IGZO ,  ITO ,  ハイブリッド層 ,  キャラクタリゼーション