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J-GLOBAL ID：201202232787611848   整理番号：12A0674436

エネルギーハーベスティングMEMSの改良に対する薄膜圧電材料

Thin-Film Piezoelectric Materials For a Better Energy Harvesting MEMS

著者 (5件)： WASA Kiyotaka (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUSHIMA Tomoaki (Panasonic Electric Works, Co., Ltd., Kadoma, JPN) ,  ADACHI Hideaki (Panasonic Corp., Seikacho, JPN) ,  KANNO Isaku (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOTERA Hidetoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 21  号： 2  ページ： 451-457  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二元系ペロブスカイトPZTの代わりに,PZTベース三元系ペロブスカイト複合体であるPb(Mn,Nb)₃-PZT(PMnN-PZT)単結晶薄膜を開発した。ヘテロエピタクシーに対するRFマグネトロンスパッタリングを用いて単結晶PMnN-PZT薄膜の連続製造に成功した。電気特性と誘電特性を評価した。単一cドメイン/単結晶PMnN-PZT薄膜の性能指数はAlN薄膜より一桁超高いことを示した。この圧電薄膜を用いて圧電エネルギーハーベスタの効率を改善できる。

シソーラス用語： MEMS ,  *圧電材料 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  三元合金 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  マグネトロンスパッタリング ,  単結晶 ,  電気特性 ,  誘電性 ,  性能指数 ,  薄膜成長 ,  ヘテロエピタクシー ,  複合体
準シソーラス用語： エネルギーハーベスティング ,  圧電薄膜

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (4件)： エネルギーハーベスティング ,  MEMS ,  薄膜 ,  圧電材料