文献

J-GLOBAL ID：201202232921360520   整理番号：12A0363829

箔厚低減に及ぼす電荷交換炭素箔中の不純物の効果

Effect of impurities in charge-exchange carbon foil on foil thickness reduction

著者 (2件)： TAKEDA Yasuhiro (High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Oho1-1, Tsukuba-shi, Ibaraki-ken 305-0801, JPN) ,  KADONO Toshiharu (Dep. of Physics, Graduate School of Sci., The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 7  ページ： 899-902  発行年： 2012年02月08日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素箔は粒子加速器における電荷ストリッピング材料として一般的に使用されている。ビーム照射中に炭素箔の厚さの変化が起きる。箔薄化を引き起こす因子は未知である。箔に含まれる不純物が箔薄化を引き起こすといわれている。炭素箔は水などの不純物を含む。これらの不純物は解離し,炭素と結合し,その後蒸発する。このことを考慮に入れて,どの不純物が箔薄化を引き起こすかを決定した。その結果,箔に含まれる酸素が箔薄化の役割を果たすことを見出した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電荷交換 ,  *箔 ,  不純物 ,  酸素 ,  イオン照射 ,  ストリッピング ,  *加速器 ,  荷電粒子 ,  *炭素材 ,  イオンビーム ,  Van de Graaff加速器 ,  残留ガス ,  Rutherford後方散乱 ,  *イオンビームスパッタリング

分類 (2件)： 加速器一般及び理論  (BE02010M) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 箔 ,  厚 ,  電荷交換 ,  炭素 ,  不純物