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J-GLOBAL ID：201202233114408281   整理番号：12A1206468

シリコン基板上のGe注入したSiO₂層からの青色-UVルミネセンス

Blue-UV Luminescence from Ge-Implanted SiO₂ Layer on Si Substrate

著者 (7件)： MIYAGAWA G. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  KINOSHITA S. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  SAKATA A. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  ARAI N. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  ARAI N. (SHARP Corp.) ,  TSUJI H. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  GOTOH Y. (Kyoto Univ., Uji, JPN)
資料名： Annual Report of Quantum Science and Engineering Center  (Annual Report of Quantum Science and Engineering Center)
巻： 14  ページ： 80-82  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： L6689A  ISSN： 1345-0700  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に低い電圧で作動する青色-UV領域の光源を作製するために,Geを浅く注入したSiO₂層からのルミネセンス特性を調べた。シリコン上の50nmのSiO₂層にGeの負イオンを浅いところ(表面から数十nmまで)に注入した後,アニーリング処理を施した。この照射試料の光ルミネセンス(PL)およびエレクトロルミネセンス(EL)特性を測定した。290nmと390nmにPLピークを観測した。透明なITO電極を使ったEL測定では,AC20Vの低電圧で390nmにピーク強度を観測した。

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  *エレクトロルミネセンス ,  イオン注入 ,  ゲルマニウム ,  青 ,  紫外線 ,  発光スペクトル

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン基板 ,  Ge ,  注入 ,  SiO2 ,  青色 ,  ルミネセンス