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J-GLOBAL ID：201202233185828109   整理番号：12A1037066

MOSFETのI_d-V_gおよびC_cg-V_g超高速同時測定に基づく新しい移動度抽出技術

A New Mobility Extraction Technique Based on Simultaneous Ultrafast I_d-V_g and C_cg-V_g Measurements in MOSFETs

著者 (3件)： JI Z. (John Moores Univ., Liverpool, GBR) ,  ZHANG J. F. (John Moores Univ., Liverpool, GBR) ,  ZHANG W. (John Moores Univ., Liverpool, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 7  ページ： 1906-1914  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETのチャネルキャリア移動度はプロセス開発,材料選定,デバイスモデリングのキーパラメータである。既存の移動度評価技術には,時間がかかる,高速トラッピングに弱い,ドレインバイアス(V_d)に依存する,ゲートリークに敏感,などの欠点を有する。これらの欠点を克服する新しい技術を提案する。I_d-V_gとC_cg-V_gを同時に測定するので移動度に対するV_dの効果が自動的に考慮され,移動度の測定値はV_dに関係なくなる。I_d-V_gとC_cg-V_gの測定でケーブルの付け替えは無く,1パルスで測定が完了する。このために測定時間はマイクロ秒のオーダーであり,電荷捕獲の効果を最少にできる。高周波のC_cg-V_gがゲートリークに弱いのと異なりC_cgはI_gに関係なく,チャネル電流に対するI_g効果の補正に追加する測定は無い。

シソーラス用語： *移動度 ,  *MOSFET ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  時間 ,  キャリア捕獲 ,  計測 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  チャネル移動度 ,  測定時間 ,  *測定方法 ,  電荷捕獲

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSFET ,  超高速 ,  同時測定 ,  移動度