文献

J-GLOBAL ID：201202233321122681   整理番号：12A0764867

パワーデバイス用途向けの3インチSiCウェーハの低温フォトルミネッセンスの調査

Low Temperature Photoluminescence Investigation of 3-inch SiC Wafers for Power Device Applications

著者 (10件)： PEYRE H. (Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA) ,  SUN J. (Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA) ,  SUN J. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  GUELFUCCI J. (Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA) ,  JUILLAGUET S. (Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA) ,  HASSAN J. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HENRY A. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  CONTRERAS S. (Lab. Charles Coulomb, CNRS, Montpellier, FRA) ,  BROSSELARD P. (UCB-Lyon1, Villeurbanne, FRA) ,  CAMASSEL J. (Lab. Charles Coulomb, CNRS, Montpellier, FRA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 711  ページ： 164-168  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： パワーデバイス ,  用途 ,  インチ ,  SiC ,  ウェーハ ,  低温 ,  フォトルミネッセンス ,  調査