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J-GLOBAL ID：201202233508648903   整理番号：12A0165359

静電力顕微法と人工ニューラル・ネットワークによって得た薄膜の超高誘電率

Ultrahigh dielectric constant of thin films obtained by electrostatic force microscopy and artificial neural networks

著者 (2件)： CASTELLANO-HERNANDEZ E. (Departamento de Ingenieria Informatica, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, 28049 Madrid, ESP) ,  SACHA G. M. (Departamento de Ingenieria Informatica, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Cantoblanco, 28049 Madrid, ESP)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 2  ページ： 023101  発行年： 2012年01月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電力顕微鏡のチップと薄膜との間の静電相互作用の詳細な解析を報告する。人工ニューラル・ネットワークを用いることによって,等価半無限試料を,完全薄膜試料として評価する優れた近似を行うことができた。有用な解析的表式も得た。非常に薄い膜厚(約1nm)の場合,物質の電気的応答は非常に高い誘電率についてさえ異なる結果を得た。この効果は,有限サイズ効果が超高薄膜誘電率によって記述される薄膜物質にとって非常に重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *力顕微鏡 ,  *ニューラルネットワーク ,  誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  静電相互作用 ,  サイズ効果
準シソーラス用語： *人工ニューラルネットワーク ,  *静電力顕微鏡

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 静電力 ,  顕微法 ,  人工ニューラル・ネットワーク ,  薄膜 ,  高誘電率