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J-GLOBAL ID：201202233623039813   整理番号：12A1767991

原子層堆積ゲート絶縁体を用いたInSb量子井戸の特性評価

Characterization of InSb quantum wells with atomic layer deposited gate dielectrics

著者 (7件)： UDDIN M. M. (Dep. of Physics, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  LIU H. W. (ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  YANG K. F. (ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  NAGASE K. (ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  MISHIMA T. D. (Homer L. Dodge Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Oklahoma, 440 West Brooks, Norman, Oklahoma 73019-2061, USA) ,  SANTOS M. B. (Homer L. Dodge Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Oklahoma, 440 West Brooks, Norman, Oklahoma 73019-2061, USA) ,  HIRAYAMA Y. (Dep. of Physics, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8578, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 23  ページ： 233503-233503-4  発行年： 2012年12月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積により作製した高品質なAl₂O₃誘電体(40nm厚)を用いたゲート化InSb量子井戸(QW)の磁気輸送測定について報告する。磁気抵抗のデータから,ゼロゲート電圧(V_g)で試料における平行伝導チャンネルが実現されることを実証した。Al₂O₃とInSb頂部層間の良好な界面によって,負のV_gで平行チャンネルが激減し,6.5×10¹⁴m^-2V^-1という大きな比率でV_gによりQW内の二次元電子密度がチューンされるが,大きな負のV_gで飽和することを確かなものにしている。自己無撞着Schroedinger-Poissonシミュレーションと2キャリアモデルから示唆されるように,これらの発見はQWの層構造と密接に関連している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  酸化膜 ,  *アンチモン化インジウム ,  *量子井戸 ,  酸化アルミニウム ,  輸送現象 ,  磁気抵抗 ,  Schroedinger方程式 ,  Poisson方程式 ,  化合物半導体 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート絶縁体 ,  原子層堆積 ,  磁気輸送

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積 ,  ゲート絶縁体 ,  InSb ,  量子井戸 ,  特性評価