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J-GLOBAL ID：201202233652888617   整理番号：12A0757585

非晶質シリコン上のゲルマニウム単結晶の成長

Single-Crystal Germanium Growth on Amorphous Silicon

著者 (5件)： MCCOMBER Kevin A. (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  DUAN Xiaoman (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  LIU Jifeng (Thayer School of Engineering, Dartmouth Coll., NH, USA) ,  MICHEL Jurgen (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  KIMERLING Lionel C. (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 5  ページ： 1049-1057  発行年： 2012年03月07日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パターン化した非晶質シリコン(a-Si)基板上に450°C以下で単結晶ゲルマニウムの選択成長を可能にした。厚さ500nmの熱酸化SiO₂上に,プラズマ増強CVD(PECVD)法で厚さ40~120nmのa-Siを堆積した。その後,厚さ200~300nmのSiO₂をPECVD法で作製した。この酸化物膜をフォトリソグラフィーによりパターン化し,反応性イオンエッチングでa-Siを露出し,アンダーカットエッチを行った。結果として2面および4面がSiO₂で囲まれた隙間の底面にa-Siが配置された構造を得た。その隙中で,a-Si上にGeを選択成長させた。その結果,多結晶中の優先成長方位の結晶粒が成長し,単結晶Geが成長した。また,電気特性とフォトルミネセンスの評価も行った。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *単結晶 ,  結晶成長 ,  *プラズマCVD ,  基板 ,  ケイ素 ,  非晶質 ,  フォトリソグラフィー ,  RIE【エッチング】 ,  半導体プロセス ,  光ルミネセンス ,  結晶方位

分類 (2件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  その他の無機工業薬品,無機材料  (YB02090K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非晶質シリコン ,  ゲルマニウム ,  単結晶の成長