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J-GLOBAL ID：201202233700738703   整理番号：12A1057335

金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係:第一原理計算による理論的検討

Relation between Schottky-barrier change and structural disorders at metal/(Si,Ge) interfaces: First-principles study

著者 (2件)： 小日向恭祐 (千葉大) ,  中山隆史 (千葉大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 92(SDM2012 43-62)  ページ： 59-62  発行年： 2012年06月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体種としてSi及びGeを用いて,界面近傍の半導体側に原子空孔や格子間原子などの乱れを形成することで,金属/半導体界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を,第一原理計算により調べた。その結果,原子空孔や格子間原子など点欠陥の乱れは界面近傍に発生しやすいこと,乱れにSiダングリングボンドが発生した際はバリアが上昇することなどを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： 計算 ,  *Schottky障壁 ,  界面 ,  接合部 ,  空格子点 ,  点欠陥 ,  ダングリングボンド
準シソーラス用語： ショットキーバリヤ ,  金属-半導体界面 ,  *接合界面 ,  *第一原理計算

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (9件)：

• HEINE, V. Theory of Surface States. Phys. Rev. 1965, 138, 6A, A4689-A4696
• TERSOFF, J. Schottky Barrier Heights and the Continuum of Gap States. Phys. Rev. Lett. 1984, 52, 6, 465-468
• CARDONA, M. Acoustic deformation potentials and heterostructure band offsets in semiconductors. Phys. Rev. B. 1984, 35, 12, 6182-6194
• HASEGAWA, H. Unified disorder induced gap state model for insulator-semiconductor and metal-semiconductor interfaces. J. Vac. Sci. Technol. B. 1986, 4, 4, 1130-1138
• TERSOFF, J. Theory of semiconductor heterojunctions : The role of wuantum dipoles. Phys. Rev. B. 1984, 30, 8, 4874-4877

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Ge ,  界面 ,  乱れ ,  変調 ,  第一原理計算 ,  理論