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J-GLOBAL ID:201202233996995358   整理番号:12A1173143

電荷に敏感な赤外フォトトランジスタにおける若干の故障機構

Some Failure Mechanisms in Charge-Sensitive Infrared Phototransistors
著者 (6件):
資料名:
巻: 59  号:ページ: 2129-2135  発行年: 2012年08月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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単一光子計数は,材料科学,生物学,および天体物理学に対して,絶対に必要なツールである。本論文では,電荷に敏感なフォトトランジスタ(CSIP)のような赤外光子検出器に対して,CSIPの光子応答を無能にする若干の故障機構を調べるために,容量性充電方法を提案し,用いた。2種類の故障機構を強調した。すなわち,サブバンド間-遷移-励起電子に対する量子間ウエル(QW)漏れと低いトンネリング可能性である。QW間AlGaAs障壁におけるAl含有量と故障機構型の相関について論じた。
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分類 (1件):
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 
タイトルに関連する用語 (4件):
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