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J-GLOBAL ID：201202234185878099   整理番号：12A0427196

先進応答表面電荷法を使用したT-構造位相変化メモリセルの多変量熱設計

Multi-variable thermal design of T-structured phase-change memory cell using advanced response surface method

著者 (4件)： SHIN Sangwoo (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Beom Seok (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Kyung Min (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Hyung Hee (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 91  ページ： 1-8  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応答 ,  表面電荷 ,  位相変化 ,  メモリセル ,  多変量 ,  熱設計