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J-GLOBAL ID：201202234310560624   整理番号：12A1383783

超伝導臨界電流密度導特性の改善されたFe-Te-Seから成るエピタキシャル膜

Fe-Te-Se epitaxial thin films with enhanced superconducting properties

著者 (12件)： MELE Paolo (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MATSUMOTO Kaname (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MATSUMOTO Kaname (JST, Ibaraki, JPN) ,  FUJITA Kouhei (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  YOSHIDA Yutaka (JST, Ibaraki, JPN) ,  YOSHIDA Yutaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KISS Takanobu (JST, Ibaraki, JPN) ,  KISS Takanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ICHINOSE Ataru (JST, Ibaraki, JPN) ,  ICHINOSE Ataru (Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Kanazawa, JPN) ,  MUKAIDA Masashi (JST, Ibaraki, JPN) ,  MUKAIDA Masashi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 8  ページ： 084021,1-6  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導特性の改善されたFe-Te-Seから成るエピタキシャル膜の成長とその特性を研究した。SrTiO₃(100),MgO(100),LaAlO₃(100)およびCaF₂(100)単結晶基板上に,パルスレーザ堆積法によってFe-Te-Seから成るエピタキシャル膜を250~600°Cで成長させた。CaF₂基板上に300°Cで,繰り返し周波数が3Hzのパルスレーザ光照射下で堆積した超伝導薄膜の特性が最良で,T^onset_c=20.0K,そしてT⁰_c=16.18Kであることが分かった。また,ゼロ磁場下における臨界電流密度J_c(T=4.2K)は0.41×10⁶Acm^-2,そして9TにおけるJ_c(T=4.2K)は0.23×10⁶Acm^-2であることが分かった。更に,B>3TにおけるJ_cの角度依存性は,c軸を中心とした幅広いピークを示すことが判明した。

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *セレン化物 ,  *鉄化合物 ,  エピタクシー ,  *超伝導薄膜 ,  基板 ,  炭酸ストロンチウム ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  酸化マグネシウム ,  レーザ蒸着 ,  臨界電流密度 ,  *依存性 ,  角度依存性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  電気抵抗 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： アルミン酸ランタン ,  磁場依存性

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超伝導臨界電流密度 ,  Fe ,  Te ,  Se ,  エピタキシャル膜