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J-GLOBAL ID：201202234342916170   整理番号：12A0583503

MgドープZnO障壁を有する完全エピタキシャル成長のZnO:Coベース磁気トンネル接合における増強されたトンネル磁気抵抗効果

Enhanced tunnel magnetoresistance in fully epitaxial ZnO:Co-based magnetic tunnel junctions with Mg-doped ZnO barrier

著者 (10件)： HE Shumin (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  BAI Hongliang (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  LIU Guolei (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  LI Qiang (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  YAN Shishen (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  CHEN Yanxue (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  MEI Liangmo (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  LIU Houfang (State Key Lab. of Magnetism, Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of ...) ,  WANG Shouguo (State Key Lab. of Magnetism, Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of ...) ,  HAN Xiufeng (State Key Lab. of Magnetism, Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 13  ページ： 132406-132406-3  発行年： 2012年03月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全にエピタキシャルなZnOベースのZnO:Co/ZnO:Mg/ZnO:Co磁気トンネル接合を,酸素プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより,Al₂O₃(0001)基板上に成長させた。磁気抵抗効果挙動と,ZnO:MgO障壁を通したスピン注入について調べた。増強された85.6%の正のトンネル磁気抵抗比を,温度5Kで,1.8Tの磁場中で観測した。ゼロ磁場での接合抵抗は,5Kと70Kの間で,温度べき則T^-3/4に関し線形で,キャリアがZnO:Mg障壁を二つの局在状態を介してトンネルすることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *磁気抵抗効果 ,  *トンネル接合 ,  化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  コバルト ,  *MBE成長 ,  プラズマ ,  基板 ,  アルミナ ,  バッファ層 ,  注入 ,  電子顕微鏡観察 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  低温 ,  法則
準シソーラス用語： HRTEM ,  スピン注入 ,  トンネル磁気抵抗効果 ,  プラズマMBE ,  べき則 ,  酸素プラズマ ,  *磁気トンネル接合

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (9件)： Mg ,  ドープ ,  ZnO ,  障壁 ,  エピタキシャル成長 ,  CO ,  磁気トンネル接合 ,  増強 ,  トンネル磁気抵抗効果