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J-GLOBAL ID：201202234432108048   整理番号：12A1327955

微結晶シリコン薄膜蒸着における<110>方向成長の決定因子

Determination factor of <110> direction growth in microcrystalline silicon thin film deposition

著者 (2件)： SAITO Kimihiko (Photovoltaic Power Generation Technol. Res. Assoc. (PVTEC), Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  KONDO Michio (Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 1983-1986  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiH₄及びH₂の混合ガスからPECVD(プラズマ増強蒸着)により蒸着した微結晶シリコン(μc-Si)薄膜の<110>方向成長の機構を提案した。ここでは二量体ラジカルが,(110)ファセットに架橋を形成するための架橋核の形成に重要な役割を果たしている。この機構の詳細をさらに詳しく見るために,蒸着温度の変化が結晶度に及ぼす影響という観点から,μc-Siの<110>方向の成長に影響を与える他の重要な要因を調べた。蒸着温度の増大に伴い結晶粒サイズが増大することから,これによりラジカルの表面拡散長が増大すると推測した。蒸着温度が増大すると,<110>方向の成長も促進された。したがって,ラジカルの表面拡散長が<110>方向の結晶成長を支配する他の重要な要因であると考えられる。<110>方向のμc-Si薄膜の成長機構を,基板表面温度に依存する単量体ラジカルの表面拡散長と成長表面における二量体ラジカルの密度に依存する架橋の平均空間との関係と云う観点から考察した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *因子 ,  *太陽電池 ,  *半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  *プラズマCVD ,  *微結晶 ,  *薄膜成長 ,  二量体 ,  ラジカル ,  ファセット ,  結晶度 ,  蒸着 ,  温度依存性 ,  結晶粒度 ,  表面拡散 ,  拡散距離 ,  基板温度 ,  表面温度
準シソーラス用語： 架橋形成 ,  拡散長 ,  決定因子 ,  成長機構

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 微結晶シリコン ,  薄膜蒸着 ,  成長 ,  決定因子