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J-GLOBAL ID：201202234579284070   整理番号：12A1053057

Alドープ多結晶ZnO薄膜におけるFermi準位シフトの実験的観察

Experimental observation on the Fermi level shift in polycrystalline Al-doped ZnO films

著者 (4件)： JIA Junjun (Graduate School of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, JPN) ,  TAKASAKI Aiko (Graduate School of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, JPN) ,  OKA Nobuto (Graduate School of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, JPN) ,  SHIGESATO Yuzo (Graduate School of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 013718-013718-7  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウムドープ多結晶酸化亜鉛(AZO)薄膜におけるFermi準位のシフトを,光学バンドギャップと仕事関数のキャリア密度依存性を調べることにより研究した。光学バンドギャップは,キャリア密度n_e^2/3の3分の2乗と正の直線関係が認められた。仕事関数は4.56から4.73eVの範囲であり,n_e^2/3と負の直線関係を示した。これら2つの現象は,伝導バンドの非放物線性を考慮することにより,Burstein-Moss効果に基づいてよく説明されることから,Fermi準位のシフトが多結晶AZO膜伝導バンドの非放物線性を示すことを物語る。キャリア密度と仕事関数の変化は,表面Fermi準位のシフトが多結晶AZO膜中のキャリア密度によって調整するできることを示している。多結晶AZO薄膜の仕事関数とキャリア密度の間の制御は,光電子デバイスの開発において大きな潜在的利点を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *薄膜 ,  *多結晶 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *Fermi準位 ,  バンドギャップ ,  仕事関数 ,  キャリア密度 ,  光学ギャップ ,  伝導バンド ,  放物線

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  ドープ ,  多結晶 ,  ZnO薄膜 ,  Fermi準位 ,  シフト