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J-GLOBAL ID：201202234691219400   整理番号：12A1514763

PECVD法によって堆積させた拡散ドープ源用リンドープ酸化シリコン層の解析

Analysis of Phosphorus-Doped Silicon Oxide Layers Deposited by Means of PECVD as a Dopant Source in Diffusion Processes

著者 (8件)： FALLISCH A. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU) ,  WAGENMANN D. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU) ,  KEDING R. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU) ,  TROGUS D. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU) ,  HOFMANN M. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU) ,  RENTSCH J. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU) ,  REINECKE H. (Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  BIRO D. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 2  号： 4  ページ： 450-456  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶シリコン太陽電池の効率向上策として多くの選択的ドープ域を有する新しいセル構造が注目されているが,この場合非接触部と接触部の拡散分布を分離することが重要となる。接触部のドーパント濃度を高めると,接触抵抗が低下し,直列抵抗損失が減少するとともに,接触部表面から少数キャリヤが隔離されて再結合が少なくなり,逆に接触部のドーパント濃度を下げることにより,再結合損失が減少してセルのスペクトル特性の最適化が図れる。本論では,ドーパント源としてリンドープ酸化シリコン層を適用することにより,拡散部のシート抵抗を拡散時のシランガス流量によって制御できることを示した。シランガス流量を増大すると,表面濃度が低下してシート抵抗が大きくなる。この場合のシート抵抗のばらつきは,POCl₃拡散法を用いた場合と同等であり,本手法が工業的に適用可能であることが実証された。

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *太陽電池 ,  *エネルギー変換効率 ,  ドーピング ,  酸化ケイ素 ,  リン ,  ドーパント ,  添加剤 ,  シート抵抗 ,  シラン
準シソーラス用語： *結晶シリコン太陽電池 ,  流量依存性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： PECVD ,  堆積 ,  拡散 ,  ドープ ,  酸化 ,  シリコン層 ,  解析