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J-GLOBAL ID：201202234811646111   整理番号：12A1321437

AGNRとAGNRFETの有効質量,バンドギャップ,デバイス特性および性能研究

The Effective Mass, Band Gap, Device Characteristics, and Performance Considerations for AGNR and AGNRFETs

著者 (4件)： XIA Tongsheng (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Yu (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  ZHANG Liujun (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  LI Hongge (Beihang Univ., Beijing, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 9  ページ： 2290-2295  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクグラフェンは半金属だが,グラフェンをある方向で切断した準一次元材料のアームチェアグラフェンナノリボン(AGNR)は半導体として働き,量子輸送特性が良好である。本稿は,AGNRとAGNRFETの材料特性とデバイス特性,性能研究を紹介する。まず,有効質量とバンドギャップの関係がライングループで記述できることを示す。最近接相互作用だけを考慮した強束縛モデルでAGNRの有効質量とバンドギャップの関係は2ライン交差ゼロで記述出来,第3近接相互作用とエッジ結合緩和を考慮すれば更に3ラインに分離される。次に,AGNRFETの量子輸送計算を示す。I_D-V_D曲線の小/大オフリーク電流は常にI_D-V_D曲線のオン電流と伴っていることを発見した。最後に,10nmAGNRFETで,あるオンオフ電流比を達成するには最大でも3nm幅のAGNRで平滑なエッジが必要なことを示した。

シソーラス用語： バンドギャップ ,  有効質量 ,  トレードオフ ,  比率 ,  炭素材 ,  輸送現象 ,  近距離相互作用 ,  強束縛近似 ,  電流電圧特性 ,  バンド構造 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *特性 ,  *グラフェン ,  *ナノリボン ,  量子輸送
準シソーラス用語： スイッチング電流比 ,  デバイス特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有効質量 ,  バンドギャップ ,  デバイス特性 ,  研究