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J-GLOBAL ID：201202235011150599   整理番号：12A0956221

異なる焼きなまし温度によるZnOベースのReRAMsの抵抗スイッチング特性

Resistive switching characteristics of ZnO based ReRAMs with different annealing temperatures

著者 (8件)： LI Hongxia (Lab of Electronic Materials and Devices, Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou 310018, CHN) ,  NIU Ben (Lab of Electronic Materials and Devices, Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou 310018, CHN) ,  MAO Qinan (Lab of Electronic Materials and Devices, Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou 310018, CHN) ,  XI Junhua (Lab of Electronic Materials and Devices, Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou 310018, CHN) ,  XI Junhua (State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  KE Weiqing (Lab of Electronic Materials and Devices, Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou 310018, CHN) ,  JI Zhenguo (Lab of Electronic Materials and Devices, Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou 310018, CHN) ,  JI Zhenguo (State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 75  ページ： 28-32  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチング挙動を示すZnOベースの抵抗ランダムアクセスメモリーの制作に成功した。焼きなまし温度の違いが結晶構造と抵抗のスイッチング特性に及ぼす効果について調べた。バイアス電圧をスイーピングさせると,Cu/ZnO/n⁺-Si構造は,低スイッチング電圧で単極性抵抗スイッチング特性を示した。高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)の間の抵抗比は,10⁴に匹敵する高さだった。焼きなまし温度が高くなるに従って,形成電圧は直線的に増加した。しかしながら,V_resetとV_setのスイッチング電圧には,わずかな変動があった。さらに,リセット電流,HRS,およびLRS抵抗の変動に関しても,焼きなまし温度の関数として調べた。HRSとLRSの電流伝導挙動について研究し,スイッチング特性のメカニズムをフィラメントモデルに基づいて説明した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  焼なまし ,  *スイッチング ,  温度依存性 ,  温度
準シソーラス用語： *ReRAM ,  *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 焼きなまし温度 ,  ZnO ,  スイッチング特性