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J-GLOBAL ID：201202235178234476   整理番号：12A0146754

自己種結晶形成方式垂直Bridgman法によるCdSiP₂単結晶の育成

Growth of CdSiP₂ single crystals by self-seeding vertical Bridgman method

著者 (5件)： ZHANG Guodong (State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  TAO Xutang (State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  RUAN Huapeng (State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  WANG Shanpeng (State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  SHI Qiong (State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 340  号： 1  ページ： 197-201  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一温度帯域電気炉で合成した高純度CdSiP₂多結晶を充填して,直径8mm,長さ40mmの大きさのCdSiP₂単結晶を,垂直Bridgman法によって育成させるのに成功した。結晶の品質を高分解能X線回折によって特性化し,(200)面のロッキングカーブの半値全幅(FWHM)は33′′であった。熱特性の測定から,300と773Kの間のCdSiP₂の平均比熱は0.476Jg^-1K^-1,a軸とc軸に沿った結晶の熱伝導率は295Kで,それぞれ,13.6Wm^-1K^-1,13.7Wm^-1K^-1であることが明らかになった。さらに,a軸とc軸に沿って測定した熱膨張係数は,それぞれ,8.4×10^-6K^-1,-2.4×10^-6K^-1であった。結晶の光透過性は578~10,000nmであり,融液から育成した多くのCdSiP₂結晶で存在しているように,0.7から2.5μmまでのスペクトルで吸収損失がなかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Bridgman法 ,  *リン化物 ,  単結晶 ,  *ケイ素化合物 ,  カドミウム化合物 ,  X線回折 ,  FWHM ,  *比熱 ,  熱伝導率 ,  熱膨張係数 ,  *光透過 ,  非線形光学 ,  種結晶
準シソーラス用語： 垂直Bridgman法 ,  自己種結晶

分類 (4件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  非金属のその他の熱的性質  (BL05040J) ,  光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己 ,  種結晶 ,  垂直Bridgman法 ,  単結晶の育成