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J-GLOBAL ID:201202235208634709   整理番号:12A1218825

ポリシリコンMEMS電熱構造の使用による表面トポグラフィと材料特性の変化

Usage Induced Changes to Surface Topography and Material Properties in Polysilicon MEMS Electrothermal Structures
著者 (3件):
資料名:
巻: 8250  ページ: 825005.1-825005.8  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電熱ポリシリコンMEMS構造が使用によって表面トポグラフィと材料特性が変化することを実験で調べた。周期的アクチュエーション後に表面トポグラフィが変化することをAFMによって明らかにした。表面トポグラフィの変化は,アクチュエーションサイクル数の増加とポリシリコン表面のストレスレベル増加につれて大きくなるようである。局所SiO2層の荒れが発生するのはサイクリックアクチュエーションで表面酸化膜が厚くなるためである。アクチュエータ内応力の大きさと分布を評価するためにFEA解析を行い,電熱機械構造に対する酸化膜からの応力効果と比較した。最後に,力-距離曲線を測定してアクチュエーション前後における接着力を決定した。接着力はアクチュエーション前の~7nNから10000サイクル後には~40nNに増加した。
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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