フェムト秒レーザ照射炭化けい素単結晶におけるナノボイドの形成

文献

J-GLOBAL ID：201202235307467210 整理番号：12A1203669

Formation of Nanovoids In Femtosecond Laser-irradiated Single Crystals of Silicon Carbide

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資料名：
巻： 725 ページ： 19-22 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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