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J-GLOBAL ID：201202235416526448   整理番号：12A1327971

正孔トラップ状態の光誘起アニーリング: 水素化アモルファスシリコンにおける光誘起変化の新局面

Light-induced annealing of hole trap states: A new aspect of light-induced changes in hydrogenated amorphous silicon

著者 (3件)： SAKATA Isao ,  KAMEI Toshihiro ,  YAMANAKA Mitsuyuki
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2048-2051  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非ドープ型水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)における正孔トラップ状態の光誘起アニーリングの詳細について研究した: 長時間にわたる光照射は,0.5eVより深いエネルギー範囲での正孔トラップ状態の密度を有意に減少させ,引き続く熱的アニーリングは正孔トラップ状態の密度を増加させ,照射前の初期状態の試料に戻ることが分かった。本研究での実験結果と議論から,長時間の光曝露によって欠陥転換過程が起こると推測できる: Siダングリングボンドが前駆体あるいは潜在的サイトから発生する。後者のサイトは価電子帯先端から0.5から0.7eVの間に位置する正孔トラップ状態として出現する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  *キャリア捕獲 ,  *アニーリング【現象】 ,  *光照射 ,  ダングリングボンド
準シソーラス用語： *水素化アモルファスシリコン ,  *正孔トラップ

分類 (3件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  光化学反応  (CB08020F) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 正孔トラップ ,  光誘起 ,  アニーリング ,  水素化アモルファスシリコン