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J-GLOBAL ID：201202235462107328   整理番号：12A0067929

スピン分極電流の可能な源としてInP(001)基板上で直接成長した閃亜鉛鉱型構造MnAs薄膜

Zinc-blende MnAs thin films directly grown on InP (001) substrates as possible source of spin-polarized current

著者 (5件)： OOMAE Hiroto (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  ASUBAR Joel T. (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  NAKAMURA Shinichi (Center for Instrumental Analysis, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara ...) ,  JINBO Yoshio (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  UCHITOMI Naotaka (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 338  号： 1  ページ： 129-133  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,分子線エピタキシ(MBE)を使用するいかなるバッファ層も使用することなしに,InP(001)基板上で閃亜鉛鉱(zb)型MnAs薄膜を直接成長させた。高分解能X線回折(XRD)データから,面心立方(fcc)MnAs構造を仮定して,平均格子定数値は,250および300°Cの成長温度に対して,それぞれ6.068および6.060Åであると計算された。高分解能透過型電子顕微鏡(TEM)研究および制限視野電子回折(SAD)は,NiAs型六方晶系MnAsと共存しているzb型立方晶系MnAsの成功裏の成長を確認した。飽和磁化が磁化曲線の磁場依存性から決定された300emu/cm³であると評価された。磁化の温度依存性から,キュリー温度はほぼ308Kであることが見出された。zb型MnAs薄膜の成長における成功は,MnAsとInP基板の間の界面でInAsの単層の存在によって合理的に説明することができた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電流 ,  リン化インジウム ,  *ヒ化物 ,  *マンガン化合物 ,  *閃亜鉛鉱型結晶 ,  *薄膜成長 ,  格子定数 ,  電源装置 ,  温度 ,  六方晶系 ,  立方晶系 ,  飽和磁化 ,  依存性 ,  Curie温度
準シソーラス用語： *スピン分極電流 ,  *ヒ化マンガン ,  磁場依存性 ,  成長温度 ,  電流源

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン分極電流 ,  InP ,  成長 ,  閃亜鉛鉱型構造 ,  薄膜