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J-GLOBAL ID：201202235872114828   整理番号：12A0867405

基板-エピタキシャル層界面にホウ素汚染のある表面実装低障壁ケイ素Schottkyダイオードの特性

Characteristics of surface mount low barrier silicon Schottky diodes with boron contamination in the substrate-epitaxial layer interface

著者 (3件)： PAL Debdas (M/A-COM Technol. Solutions Inc., MA, USA) ,  HOAG David (M/A-COM Technol. Solutions Inc., MA, USA) ,  BARTER Margaret (M/A-COM Technol. Solutions Inc., MA, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 5  ページ： 055007,1-7  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素低障壁Schottkyダイオードの特性に対するケイ素のエピタキシャル成長前の洗浄処理の影響を調べた。処理の異なる3つのグループのウェーハの電流電圧特性を調べた。HF/IPA蒸気で前洗浄したウェーハは界面に対するガラスからのホウ素汚染によってp-n-p-n構造による負性抵抗特性を示し,低歩留まりとなった。この点はSIMS解析でも確認した。埋め込み層を持ちHF/IPA蒸気で前洗浄したウェーハは狭い分布の正抵抗特性を示した。10mAでの平均微分抵抗は10.8オーム,標準偏差は4.3Ωであった。H₂O/HCl/HFドライ前洗浄したウェーハは最良の結果を示した。微分抵抗の分布は狭く,平均8.1Ωで,標準偏差は0.25Ω,デバイスの直列抵抗は5.6~5.9Ω,理想因子は1.03~1.06であった。

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  ウエハ【IC】 ,  層 ,  *界面 ,  *ホウ素 ,  *汚染 ,  *表面実装 ,  ケイ素 ,  *洗浄 ,  電流電圧特性 ,  半導体接合 ,  二次イオン質量分析 ,  電気抵抗 ,  因子 ,  フッ化水素 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： PNPN接合 ,  Si基板 ,  エピタキシャル層 ,  微分抵抗 ,  理想因子

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： イソプロピルアルコール

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシャル層 ,  界面 ,  ホウ素 ,  汚染 ,  表面実装 ,  障壁 ,  ケイ素 ,  Schottkyダイオード