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J-GLOBAL ID：201202235944506106   整理番号：12A0238114

high-k Er₂TiO₅電解質-絶縁物-半導体pHセンサの構造特性と検出特性に対するポスト蒸着アニーリングの影響

Postdeposition Anneal on Structural and Sensing Characteristics of High-κ Er₂TiO₅ Electrolyte-Insulator-Semiconductor pH Sensors

著者 (3件)： PAN Tung-Ming (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  LIN Chao-Wen (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  HSU Ben-Ker (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 116-118  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,希土類(RE)酸化膜が高い誘電率を持つためCMOSデバイスのゲート材料として注目されている。一方,電解質-絶縁物-半導体(EIS)によるpH感受性膜として各種high-k材料が検討されている。本稿では,反応性スパッタリングによりSi基板上に蒸着したEr₂TiO₅薄膜について,構造特性と検出特性に対するポスト蒸着アニーリングの影響を調べた。その結果,Er₂TiO₅を検出膜として使ったEISデバイスは,900°Cのアニール条件で,58.4mV/pHの高い検出感度,4.6mVの低いヒステリシス電圧,および1.2mV/hの小さいドリフト率が得られた。これは,酸化物/Si界面によく結晶化したEr₂TiO₅膜が形成されたことを示している。

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  *pHセンサ ,  電解質 ,  構造特性 ,  焼なまし ,  感度 ,  能力 ,  検出限界 ,  ヒステリシス ,  結晶化 ,  チタン酸塩 ,  *酸化エルビウム ,  ゲート【半導体】 ,  反応性スパッタリング
準シソーラス用語： high-k膜 ,  アニーリング ,  検出感度

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電解質 ,  絶縁物 ,  pHセンサ ,  構造特性 ,  蒸着 ,  アニーリング